STW18NM80, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технология: Si
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Id - непрерывный ток утечки: 17 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 295 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3 V
Qg - заряд затвора: 70 nC
Pd - рассеивание мощности: 190 W
Канальный режим: Enhancement
Конфигурация: Single
Время спада: 50 ns
Время нарастания: 28 ns
Типичное время задержки выключения: 96 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Рабочая температура: - 65 C...+ 150 C
Корпус TO-247-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.