STW26NM60N, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки t TC = 25 °C: 20 A
TC = 100 °C: 12.6A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 165 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Qg - заряд затвора: 60 nC
Pd - рассеивание мощности: 140 W
Время спада: 50 ns
Время нарастания: 25 ns
Типичное время задержки выключения: 85 ns
Типичное время задержки при включении: 13 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус: TO-247-3
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-247-3 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.