STW4N150, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Конфигурация: Single
Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 1500 В
Id - непрерывный ток утечки t TC = 25 °C: 4A
TC = 100 °C: 2.5A
Rds On — сопротивление сток-исток: 7 Ом
Vgs - Напряжение затвор-исток: - 30 В, + 30 В
Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 3 В
Qg - Заряд затвора: 30 нКл
Pd — рассеиваемая мощность: 160 Вт
Время спада: 45 нс
Время нарастания: 30 нс
Типичное время задержки выключения: 45 нс
Типичное время задержки включения: 35 нс
Рабочая температура: - 55 С...+ 150 С
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.