TK10A60D, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 10 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 750 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Qg - заряд затвора: 25 nC
Pd - рассеивание мощности: 45 W
Канальный режим: Enhancement
Конфигурация: Single
Тип транзистора: 1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 1.5 S
Время спада: 15 ns
Время нарастания: 22 ns
Типичное время задержки выключения: 100 ns
Типичное время задержки при включении: 55 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус TO-220-3-FP
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.