TK10A60W, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 9.7 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 327 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2.7 V to 3.7 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Qg - заряд затвора: 20 nC
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 30 W
Канальный режим: Enhancement
Тип транзистора: 1 N-Channel
Время спада: 5.5 ns
Время нарастания: 22 ns
Размер фабричной упаковки: 50
Типичное время задержки выключения: 75 ns
Типичное время задержки при включении: 45 ns
Корпус: TO-220FP-3
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.