TK18A50D, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Маркировка: K18A50D
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Pd - рассеивание мощности: 50 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V
Id - непрерывный ток утечки: 18 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 270 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Qg - заряд затвора: 45 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 280 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус TO-220-3-FP
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | China |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 500 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.