TPN22006NH,LQ, Транзистор MOSFET
Код товара: 033206
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
МОП-транзистор TPN22006NH,LQ
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Id - непрерывный ток утечки: 21 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 18 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 4 V
Qg - заряд затвора: 12 nC
Pd - рассеивание мощности: 18 W
Время спада: 3.3 ns
Время нарастания: 4.6 ns
Типичное время задержки выключения: 13 ns
Типичное время задержки при включении: 13 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус TSON-8
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Id - непрерывный ток утечки: 21 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 18 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 4 V
Qg - заряд затвора: 12 nC
Pd - рассеивание мощности: 18 W
Время спада: 3.3 ns
Время нарастания: 4.6 ns
Типичное время задержки выключения: 13 ns
Типичное время задержки при включении: 13 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус TSON-8
Похожие товары
| Не показывать на сайте: | Да |
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Запрет отгрузки: | Нет |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Нестандартный груз: | Нет |
| Производитель: | Toshiba (TOS) |
| Корпус: | TSON-8 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Похожие товары
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
