Транзистор MOSFET FQA11N90С-F109
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 280 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.91 Ohm
Корпус TO-3PN
Не показывать на сайте: | Да |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | TO-3PN |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 900 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.