FDD6637, Транзистор MOSFET
Код товара: 029424
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
МОП-транзистор FDD6637
Технология: Si
Полярность транзистора: P-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 35 V
Id - непрерывный ток утечки: 55 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 11.6 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3 V
Qg - заряд затвора: 63 nC
Pd - рассеивание мощности: 3.1 W
Время спада: 36 ns
Время нарастания: 10 ns
Типичное время задержки выключения: 62 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус: DPAK/TO-252-3
Технология: Si
Полярность транзистора: P-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 35 V
Id - непрерывный ток утечки: 55 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 11.6 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3 V
Qg - заряд затвора: 63 nC
Pd - рассеивание мощности: 3.1 W
Время спада: 36 ns
Время нарастания: 10 ns
Типичное время задержки выключения: 62 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус: DPAK/TO-252-3
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
| Корпус: | DPAK/TO-252-3 |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 35 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
