GT30F124, Транзистор IGBT
Код товара: 044685
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
GT30F124, Биполярный транзистор IGBT,
N-CHANNEL, 300V, 30A, TO-220FP
VCES напряжение насыщения К-Э : 300V,
Icp ток коллектора (импульсный) @3 μs: 200 A
VCE(sat) Напряжение насыщения коллектор – эмиттер (V) Typ. @120 A :2,3
PC Полная рассеиваемая мощность (W) @Tc = 25˚C: 25
Области применения: плазменные панели
Корпус TO-220FP
N-CHANNEL, 300V, 30A, TO-220FP
VCES напряжение насыщения К-Э : 300V,
Icp ток коллектора (импульсный) @3 μs: 200 A
VCE(sat) Напряжение насыщения коллектор – эмиттер (V) Typ. @120 A :2,3
PC Полная рассеиваемая мощность (W) @Tc = 25˚C: 25
Области применения: плазменные панели
Корпус TO-220FP
| Тип товара: | Транзисторы IGBT |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | Toshiba (TOS) |
| Корпус: | TO-220-3-FP |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
