IRFB4227

MOSFET Транзистор     IRFB4227
Технические характеристики:
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Конфигурация: Single
Vds - напряжение пробоя сток-исток:    200 V    
Id - непрерывный ток утечки:    65 A    
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 20 25 mΩ
Vgs - напряжение затвор-исток:    - 30 V, + 30 V    
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :    3.0 -3.9 -5.0 V
Qg - заряд затвора: 58 nC
Суммарное рассеивание при Tc=25℃ 150 Вт
Входная емкость CISS 2200 пФ
Выходная емкость Coss 225 пФ
td(on) Время задержки включения 20 нс
tr Время нарастания при включении 90 нс
td(off) Время задержки выключения 45 нс
tf Время спада при выключении 90 нС
Рабочая температура: - 40 C ...+ 175 C
Корпус:  TO-220-3(TO-220AB)