SGL160N60UFDTU, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 160 A
Pd - рассеивание мощности: 250 W
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 160 A
Непрерывный коллекторный ток: 80 A
Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 nA
Корпус: TO-264-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-264-3(2-21F2A) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.