SPB20N60C3ATMA1, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 20.7 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 190 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2.1 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
Qg - заряд затвора: 87 nC
Pd - рассеивание мощности: 208 W
Канальный режим: Enhancement
Время спада: 4.5 ns
Время нарастания: 5 ns
Размер фабричной упаковки: 1000
Типичное время задержки выключения: 67 ns
Типичное время задержки при включении: 10 ns
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Корпус: PG-TO-263-3
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | INFINEON(INF) |
| Корпус: | TO-263-3(D2PAK) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.