MOSFET транзистор SSF6010
Постоянный ток стока, VGS @ 10V ID @ Tc = 25 ْ C 75A
ID @ Tc = 100C 45A
ток стока IDM Pulsed 300A
Рассеиваемая мощность PD @ TC = 25 ْ C 144 Вт
Коэффициент линейного снижения мощности PD @ TC = 25 C 0,74 Вт / C
Напряжение затвор-исток VGS ± 20 В
Энергия лавины одиночного импульса EAS 220 мДж
BVDSS Напряжение пробоя сток-исток VGS = 0 В, ID = 250 мкА 60 В
RDS (вкл.) Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии VGS = 10 В, ID = 30 А - 8 ... 10 мОм
VGS (th) Пороговое напряжение затвора VDS = VGS, ID = 250 мкА 2,0 ... 4,0 В
gfs Крутизна прямой передачи VDS = 5 В, ID = 30 A - 58 S
IDSS ток утечки сток-исток VDS = 60 В, VGS = 0 В - 2 мкА
VDS = 60 В, VGS = 0 В, TJ = 150 C - 10 мкА
Прямая утечка между затвором и истоком IGSS VGS = 20 В - 100 нА
Обратная утечка затвор-исток VGS = -20V - -100
Диапазон рабочих температур спая и хранения от –55 до + 175 ° C.
Корпус TO-220-3(TO-220AB)