- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Конфигурация: Single
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 11 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 360 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 25 V
Qg - заряд затвора: 27 nC
Pd - рассеивание мощности: 90 W
Время спада: 10 ns
Время нарастания: 8 ns
Типичное время задержки выключения: 30 ns
Типичное время задержки при включении: 3 ns
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Корпус: TO-263-3(D2PAK)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-263-3(D2PAK) |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 600 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 11 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.