- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Маркировка: GP40V60F
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 283
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.15
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 17
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 220
Тип корпуса: TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Макс. ток коллектора TC = 25°C,A: | 40 |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 283 |
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO, макс.: | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.