STW20NM60, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 20 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 290 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 192 W
Канальный режим: Enhancement
Тип транзистора: 1 N-Channel
Время нарастания: 20 ns
Типичное время задержки выключения: 42 ns
Типичное время задержки при включении: 25 ns
Маркировка W20NM60
Корпус: TO-247-3
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-247-3 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.