STW20NM60, Транзистор MOSFET
Код товара: 032497
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор STW20NM60
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 20 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 290 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 192 W
Канальный режим: Enhancement
Тип транзистора: 1 N-Channel
Время нарастания: 20 ns
Типичное время задержки выключения: 42 ns
Типичное время задержки при включении: 25 ns
Маркировка W20NM60
Корпус: TO-247-3
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 20 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 290 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 192 W
Канальный режим: Enhancement
Тип транзистора: 1 N-Channel
Время нарастания: 20 ns
Типичное время задержки выключения: 42 ns
Типичное время задержки при включении: 25 ns
Маркировка W20NM60
Корпус: TO-247-3
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
| Корпус: | TO-247-3 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
